负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上，输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。

详细的说，当Vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃工作于截止(cut off)区。 
同理，当Vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃工作于饱和区(saturation)。 
关于晶体三极管的开关饱和区，MOS管的饱和区就是晶体管的放大区。 
晶体三极管的放大是电流关系的放大，即Ic=B*Ib 
而MOS管的放大倍数是Ic=B*Ugs,与g、s两端的电压有关系 
MOS管的放大倍数比较大，稳定。